MICMT29H memory 系列
高容量并行NAND闪存芯片,封装类型为VBGA
Micron Technology 的 MICMT29H 系列是一款采用Very Thin Ball Grid Array (VBGA) 封装的大容量并行NAND闪存芯片。这些芯片专为需要紧凑型封装大量非易失性存储的应用设计。如果您正在从事嵌入式系统、固态硬盘或工业物联网设备存储解决方案的相关项目,这些内存芯片可能非常适合。
值得注意的是其可靠性和耐久性。鉴于 Micron 在质量方面的声誉,这些芯片很可能提供长期稳定性和一致的性能,这对于关键任务应用至关重要。工程师在需要高密度存储而不牺牲性能或功耗的情况下通常会选择这种类型的内存。另一个实际观察是,这些芯片适用于汽车系统或航空航天等高可靠性环境,在这些环境中数据完整性至关重要。
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MICMT29H memory - 型号列表
共 7 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 接口 | 额定电压 | 尺寸 | 封装形式 | 主要材料 | 密度 | 扇区大小 | 架构 | 页面模式支持 | 存储器架构 | 地址数量 | 定时调节方式 | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
micron | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
micron | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
micron | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 0 | - | Parallel | 3.3 V | 4 KB | 100VBGA | NAND | 16 Gb | 512Kbyte x 4096 | Sectored | Yes | Symmetrical | 31 Bit | Asynchronous | 0 to 70 °C | ||
| 0 | - | Parallel | 3.3 V | 4 KB | 100VBGA | NAND | 32 Gb | 512Kbyte x 8192 | Sectored | Yes | Symmetrical | 32 Bit | Asynchronous | 0 to 70 °C | ||
| 0 | - | Parallel | 3.3 V | 4 KB | 100VBGA | NAND | 16 Gb | 512Kbyte x 8192 | Sectored | Yes | Symmetrical | 31 Bit | Asynchronous | 0 to 70 °C | ||
| 0 | - | Parallel | 3.3 V | 4 KB | 100VBGA | NAND | 32 Gb | 512Kbyte x 4096 | Sectored | Yes | Symmetrical | 32 Bit | Asynchronous | 0 to 70 °C |
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Micron Technology, Inc.