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MICMT29H memory 系列

高容量并行NAND闪存芯片,封装类型为VBGA

Micron Technology 的 MICMT29H 系列是一款采用Very Thin Ball Grid Array (VBGA) 封装的大容量并行NAND闪存芯片。这些芯片专为需要紧凑型封装大量非易失性存储的应用设计。如果您正在从事嵌入式系统、固态硬盘或工业物联网设备存储解决方案的相关项目,这些内存芯片可能非常适合。

值得注意的是其可靠性和耐久性。鉴于 Micron 在质量方面的声誉,这些芯片很可能提供长期稳定性和一致的性能,这对于关键任务应用至关重要。工程师在需要高密度存储而不牺牲性能或功耗的情况下通常会选择这种类型的内存。另一个实际观察是,这些芯片适用于汽车系统或航空航天等高可靠性环境,在这些环境中数据完整性至关重要。

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MICMT29H memory - 型号列表

7 个型号

密度

扇区大小

地址数量

制造商零件编号库存价格产品类别接口额定电压尺寸封装形式主要材料密度扇区大小架构页面模式支持存储器架构地址数量定时调节方式工作温度
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MICMT29H16G08ECA!C

NAND Flash Parallel 3.3V 16Gbit 2G x 8bit 100-Pin VBGA Tray

micron

0-Parallel3.3 V4 KB100VBGANAND16 Gb512Kbyte x 4096SectoredYesSymmetrical31 BitAsynchronous0 to 70 °C
MICMT29H32G08GCA!C

NAND Flash Parallel 3.3V 32Gbit 4G x 8bit 100-Pin VBGA Tray

micron

0-Parallel3.3 V4 KB100VBGANAND32 Gb512Kbyte x 8192SectoredYesSymmetrical32 BitAsynchronous0 to 70 °C
MICMT29H16G08ECA!A

NAND Flash Parallel 3.3V 16Gbit 2G x 8bit 100-Pin VBGA Tray

micron

0-Parallel3.3 V4 KB100VBGANAND16 Gb512Kbyte x 8192SectoredYesSymmetrical31 BitAsynchronous0 to 70 °C
MICMT29H32G08GCA!A

NAND Flash Parallel 3.3V 32Gbit 4G x 8bit 100-Pin VBGA Tray

micron

0-Parallel3.3 V4 KB100VBGANAND32 Gb512Kbyte x 4096SectoredYesSymmetrical32 BitAsynchronous0 to 70 °C
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