MICMT29F1G memory 系列
Micron Technology, Inc.高密度NAND闪存芯片，采用紧凑型VFBGA封装
Micron Technology 的 MICMT29F1G 系列是一款高密度 NAND 闪存芯片系列，专为需要大量存储空间的小型封装应用设计。这些采用 VFBGA（极细间距球栅阵列）封装的芯片非常适合嵌入式系统、物联网设备以及其他空间有限但需要最大化容量的紧凑型电子系统。
如果你的项目需要在有限的电路板空间内提供大量的非易失性存储，这些芯片非常合适。它们在成本和性能之间提供了良好的平衡，因此受到希望集成强大存储解决方案而不牺牲尺寸大小的工程师们的青睐。值得一提的是其可靠性——Micron 以生产高质量组件而闻名，这对关键任务应用至关重要。
当工程师们需要一种易于焊接到 PCB 上且不会占用太多空间的密集存储解决方案时，往往会选择这一系列芯片。VFBGA 封装特别有利，因为它可以在很小的面积上实现高引脚数，从而允许使用更少的外部组件构建复杂的系统。另一个实用的观察是，这些芯片通常有多种容量可供选择，因此你可以根据具体项目需求选择合适的存储量。
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MICMT29F1G memory - 型号列表
共 10 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 封装形式 | 接口 | 额定电压 | 尺寸 | 主要材料 | 密度 | 扇区大小 | 架构 | 页面模式支持 | 存储器架构 | 地址数量 | 定时调节方式 | 工作温度 | 标准包装数量 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 micron | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 0 | - | 63VFBGA | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
micron | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
micron | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
| 0 | - | 63VFBGA | Parallel | 1.8 V | 2 KB | NAND | 1 Gb | 128Kbyte x 1024 | Sectored | Yes | Symmetrical | 28 Bit | Asynchronous | -40 to 85 °C | - | |
| 0 | - | 63VFBGA | Parallel | 1.8 V | 2 KB | SLC NAND | 1 Gb | 128Kbyte x 1024 | Sectored | Yes | Symmetrical | 27 Bit | Asynchronous | -40 to 85 °C | - | |
| 0 | - | 63VFBGA | Parallel | 1.8 V | 2 KB | SLC NAND | 1 Gb | 128Kbyte x 1024 | Sectored | Yes | Symmetrical | 26 Bit | Asynchronous | 0 to 70 °C | - | |
| 0 | - | 63VFBGA | Parallel | 3.3 V | 2 KB | NAND | 1 Gb | 128Kbyte x 1024 | Sectored | Yes | Symmetrical | 28 Bit | Asynchronous | 0 to 70 °C | Trays | |
| 0 | - | 63VFBGA | Parallel | 1.8 V | 1 KWords | NAND | 1 Gb | 128Kbyte x 1024 | Sectored | Yes | Symmetrical | 27 Bit | Asynchronous | -40 to 85 °C | - | |
| 0 | - | 63VFBGA | Parallel | 1.8 V | 1 KWords | NAND | 1 Gb | 128Kbyte x 1024 | Sectored | Yes | Symmetrical | 27 Bit | Asynchronous | 0 to 70 °C | - |
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