IPP80N06S3 MOSFET 系列
High-power N-channel MOSFET transistors for efficient energy management
系列图片(1 张)
文档与媒体
IPP_B_I80N06S3-05_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2dd27ed72c2
IPP_B_I80N06S3-07_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2de129572c5
IPP_B_I80N06S3L-05_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2ded2d972c8
IPP_B_I80N06S3L-06_DS_1_1.pdf?folderId=db3a304314dca389011528372fbb12ac&fileId=db3a304316f112290116f2dfdce772cb
常见问答
内容由 AI 生成,仅供参考
加载中...
03
IPP80N06S3 MOSFET - 型号列表
共 5 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 标准封装名称 | 欧盟RoHS | 最大栅源电压 Vgs | 元件数量 | 击穿电压 | 最大功耗 | 导通电阻(最大) | 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 宽度 | 插片宽度 | 安装类型 | 总长度 | 包装数量 | 位数 | 外壳尺寸-插件 | 通道类型 | 印刷电路板数量 | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 10 | ¥5.81 | - | TO-220 | Compliant | ±20 | 1 | 55 | 135000 | 6.8@10V | 80 | 4.4 | Tab | Through Hole | 10 | TO-220AB | 3 | 9.25 | Enhancement | 3 | 175 | |
| 10 | ¥4.32 | - | TO-220 | Compliant | ±16 | 1 | 55 | 105000 | 7.9@10V | 80 | 4.4 | Tab | Through Hole | 10 | TO-220AB | 3 | 9.25 | Enhancement | 3 | 175 | |
| 10 | ¥5.81 | - | TO-220 | Compliant | ±16 | 1 | 55 | 136000 | 5.9@10V | 80 | 4.4 | Tab | Through Hole | 10 | TO-220AB | 3 | 9.25 | Enhancement | 3 | 175 | |
| 10 | ¥6.98 | - | TO-220 | Compliant | ±20 | 1 | 55 | 165000 | 5.4@10V | 80 | 4.4 | Tab | Through Hole | 10 | TO-220AB | 3 | 9.25 | Enhancement | 3 | 175 | |
| 0 | - | TO-220 | Compliant | ±16 | 1 | 55 | 165000 | 4.8@10V | 80 | 4.4 | Tab | Through Hole | 10 | TO-220AB | 3 | 9.25 | Enhancement | 3 | 175 |
第 1 / 1 页
1

Infineon Technologies AG