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IPD14 transistor 系列

N-channel MOSFET transistors, 55-60V, 17-50A, TO-252 package

系列图片(3 张)

文档与媒体

IPD144N06N+G+Rev1.22.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42ec0944a71
IPD14N06S2-80_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b43349c95af6

常见问答

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03

IPD14 transistor - 型号列表

4 个型号

零件号别名

晶体管类型

包装方式

封装形式

系列

工作温度

击穿电压

最大功耗

导通电阻(最大)

峰值脉冲电流(10/1000µs)

宽度

制造商零件编号库存价格产品类别安装类型工作温度宽度零件号别名晶体管类型包装方式封装形式系列标准封装名称欧盟RoHS最大栅源电压 Vgs元件数量击穿电压最大功耗导通电阻(最大)峰值脉冲电流(10/1000µs)插片宽度引脚样式总长度包装数量位数外壳尺寸-插件通道类型印刷电路板数量其他名称标准包装数量RoHSFET类型下降时间FET特性最大功率额定功率上升时间(典型)首抽头延迟Vgs(th)(最大)@ Id导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs漏源电压(Vdss)栅极触发电压 Vgt (最大)漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)输入电容(Ciss)(最大)@ Vds连续漏极电流(Id)@ 25°C安装样式供应商器件封装配置商标名工厂包装数量通道数量高度长度技术制造商全称
IPD144N06N G
IPD144N06N G

MOSFET N-CH 60V 50A MOSFET N-CH 60V 50A TO-252

Infineon Technologies

10¥3.64-Surface Mount- 55 C-IPD144N06NGBTMA1N-ChannelTape & Reel (TR)TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63IPD144N06----------------IPD144N06NGINDKR2,500Lead free / RoHS CompliantMOSFET N-Channel, Metal Oxide11 nsStandard136W135 W35 ns29 ns4V @ 80µA14.4 mOhm @ 50A, 10V60 V54nC @ 10V60V+/- 20 V50 A1900pF @ 30V50A (Tc)SMD/SMTPG-TO252-3Single-------
IPD14N06S280ATMA1
IPD14N06S280ATMA1

Trans MOSFET N-CH 55V 17A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Infineon Technologies AG

10¥1.75-Surface Mount1756.22-----DPAKCompliant±201554700080@10V17TabGull-wing6.5TO-25232.3N2-----------------------------
IPD144N06NGBTMA1
IPD144N06NGBTMA1

Trans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-252

Infineon Technologies AG

0-Surface Mount1756.22-----DPAKCompliant±2016013500014.4@10V50TabGull-wing6.5TO-25232.3N2-----------------------------
IPD14N06S280ATMA2
IPD14N06S280ATMA2

MOSFET N-CH 55V 17A TO252-3 MOSFET N-CHANNEL_55/60V

Infineon Technologies

0---6.22 mmIPD14N06S2-80 SP0010636421 N-ChannelReelTO-252-3CoolMOS CE--------------------------------------CoolMOS25001 Channel2.3 mm6.5 mmSiInfineon Technologies
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