GA50JT transistor 系列
GeneSiC Semiconductor, Inc.功率应用用的高压硅 Carbide 结合晶体管
GeneSiC Semiconductor 的 GA50JT 系列是一款高电压硅 carbide（SiC）结型晶体管系列产品，专为 robust 功率应用设计。这些晶体管在需要高速切换和低导通损耗的情况下非常理想，例如在逆变器、电机驱动和直流-直流转换器中。
如果您正在设计需要快速切换和最小能量损失的应用，这些晶体管可以显著提高系统的效率。值得注意的是，它们能够有效处理高电压，使其适用于电车和可再生能源系统等常见电压尖峰的应用场景。当工程师需要在恶劣条件下获得可靠性能而不牺牲速度或效率时，往往会选择这种晶体管。SiC 的宽禁带特性允许更好的热管理并承受更高的工作温度，使 GA50JT 系列特别适合紧凑型和高性能功率电子设备。
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GA50JT transistor - 型号列表
共 5 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 包装方式 | 工厂包装数量 | RoHS | 制造商全称 | 标准包装数量 | 海关税号 | FET类型 | FET特性 | 最大功率 | 晶体管类型 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 最大功耗 | 漏源电压（Vdss） | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 重量 | 安装类型 | 引脚数 | 封装形式 | 供应商器件封装 | 系列 | 工作温度 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 TRANS SJT 1.2KV 50A SIC JUNCTION TRANS, 1.2KV, 50A, TO-247AB JFET 1200V 100A Standard GeneSiC Semiconductor | 14 | 1: ¥694.96 | - | * | - | - | - | 30 | 85412900 | Silicon Carbide, Normally Off | Super Junction | 5W | :JFET | 28 mOhm @ 50A, 100mA | :308W | 1200V (1.2kV) | 50A | 0 | * | :3 | * | * | * | :175° |
 | 0 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 | 0 | - | Tube | 30 | RoHS Compliant | GeneSiC Semiconductor | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
 | 0 | - | Bulk | 10 | RoHS Compliant | GeneSiC Semiconductor | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | |
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