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FF450R12ME4 transistor 系列

工业应用用高功率N沟道IGBT模块

Infineon的FF450R12ME4是一款高性能N沟道IGBT模块,专为苛刻的工业应用设计。这些模块通常用于对效率和可靠性要求极高的功率转换系统中,例如变频驱动器(VFD)、逆变器和电机控制。如果您正在处理涉及重型机械、暖通空调系统或大规模可再生能源安装的项目,这些晶体管很可能是关键组件。

值得注意的是,它们具有坚固的设计,使其适用于恶劣环境。当工程师需要一种能够长期承受高电流和电压而不退化的可靠解决方案时,往往会选用这种模块。另一个实用的观察是,由于标准引脚配置和封装类型,它们易于集成到现有设计中。这使它们成为工业环境中新设计和升级的理想选择。

系列图片(4 张)

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
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FF450R12ME4 transistor - 型号列表

8 个型号

RoHS

宽度

高度

长度

安装类型

包装数量

尺寸/外形

制造商零件编号库存价格产品类别制造商全称RoHS晶体管类型供电电压最大功耗集电极截止电流(最大)栅极触发电压 Vgt (最大)宽度高度长度安装类型引脚数包装数量尺寸/外形通道类型每IC通道数工作温度工厂包装数量产品最大栅源电压 Vgs额定功率Vce饱和电压(最大)最小输入电压平均正向功率栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs连续漏极电流(Id)@ 25°C安装样式位数功能配置频率包装方式
FF450R12ME4
3

Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 675A 11-Pin FF450R12ME4, IGBT Transistor Module, N-channel, Dual, 675A 1200V, 11-Pin IGBT Modules IGBT 1200V 450A Infineon N通道 IGBT 模块, 串行, 675 A 1200 V, 11针 62MM封装

infineon technologies

171: ¥858.9992-Infineon TechnologiesCompliant串行1200 V2250 W675 A±20V62mm20.8mm152.1mmScrew1162MM152.1 x 62 x 20.8mmN串行+150 °C-IGBT Silicon Modules±20 V2250 W2.1 V1200 V2250 W400 nA675 AScrew11YDual--
FF450R12ME4_B11

IGBT Modules IGBT Module 450A 1200V Infineon N通道 IGBT 模块, 串行, 675 A 1200 V, 11针 ECONOD封装

Infineon Technologies

101: ¥1,032.716-Infineon TechnologiesRoHS Compliant串行1200 V2250 W675 A±20V62.5mm17mm122.5mmPCB(印刷电路板)安装11ECONOD122.5 x 62.5 x 17mmN串行+150 °C-------------1MHzBulk
FF450R12ME4P

IGBT Modules

Infineon Technologies

101: ¥1,096.16-Infineon TechnologiesRoHS Compliant---------------6--------------
FF450R12ME4P_B11

IGBT Modules

Infineon Technologies

0-Infineon Technologies----------------6--------------
FF450R12ME4BOSA1

IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 675 A, 1.75 V, 2.25 kW, 1.2 kV, Module

INFINEON

101: ¥1,065.696---------------------------------
106: ¥1,230.85---------------------------------
201: ¥1,139.272---------------------------------
122: ¥1,469.48---------------------------------
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