SemiSouth Laboratories, Inc.（半南实验室公司）于2000年从密西西比州立大学剥离成立，是一家曾领先的美国半导体公司，总部位于密西西比州斯塔克维尔。公司专注于设计制造碳化硅（SiC）功率半导体器件，面向高效率、高温、高压应用。作为SiC行业的早期开拓者，SemiSouth自主研发了专有的槽栅JFET技术。其产品组合涵盖常开型和常关型SiC JFET、SiC肖特基二极管以及功率模块，主要应用于太阳能逆变器、电源、电动汽车充电器和工业电机驱动等领域。核心产品系列包括SJEP（SiC结型场效应晶体管）和SGDA（SiC肖特基二极管）系列。公司还提供定制封装和模块化解决方案以集成其芯片。在鼎盛时期，SemiSouth凭借多项专利被公认为耗尽型SiC JFET的技术领导者。然而，由于财务困难和市场采用慢于预期，公司于2012年申请第11章破产并最终停止运营。其知识产权和资产随后由其他实体收购，包括United Silicon Carbide公司。尽管已不再活跃，SemiSouth仍因推动SiC功率技术进步并为现代宽禁带半导体铺路而被铭记。