RF Micro Devices（RFMD）是一家总部位于美国北卡罗来纳州格林斯伯勒的射频集成电路设计与制造公司，成立于1991年。公司专注于开发高性能射频（RF）解决方案，为移动设备、无线基础设施、有线电视宽带以及国防航天等领域提供关键元件。RFMD的核心产品包括功放模块（PA）、低噪声放大器（LNA）、混频器、调制器、增益模块以及集成前端模块（FEM）等。公司精通砷化镓异质结双极晶体管（GaAs HBT）和锗化硅（SiGe）等多种半导体工艺技术，是GaAs HBT的主要生产厂家。其功放产品系列如RFPA、RFFM等被广泛应用于手机、WiFi和基站设备中。RFMD曾是全球手机功率放大器市场的领先供应商，市场占有率极高，累计出货量达数十亿颗。此外，公司在CATV基础设施、智能电网和无线局域网（WLAN）领域也提供丰富的射频前端方案。凭借对化合物半导体工艺的深度掌控和强大的垂直整合制造能力，RFMD赢得了顶级通信设备制造商的长期合作。2015年，RFMD与TriQuint半导体公司合并成立Qorvo公司，从而整合资源，成为更全面的射频解决方案领导者。在合并前，RFMD已成为全球射频集成电路放大设备领域的翘楚。