RF Micro Devices, Inc.（RFMD）是一家领先的美国半导体公司，专门从事高性能射频（RF）元件的设计和制造。公司成立于1991年，总部位于北卡罗来纳州格林斯博罗，是砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）技术的先驱。其核心业务聚焦于无线通信和移动设备所需的射频功率放大器、前端模块（FEM）和集成射频解决方案。产品组合包括PowerSmart®功率平台、RF Fusion™前端方案，以及各种发射/接收模块和天线开关模块。RFMD的元器件广泛应用于全球顶级原始设备制造商（OEM）的智能手机、平板电脑、蜂窝基站和Wi-Fi设备中。公司还拓展了化合物半导体代工服务，提供GaAs和氮化镓（GaN）工艺技术。在全球蜂窝射频元件市场中，RFMD曾占据重要市场份额，与Skyworks和Avago激烈竞争。2015年，RFMD与TriQuint半导体公司合并，成立了Qorvo, Inc.，成为射频半导体行业的巨头。这次合并整合了RFMD在功率放大器和前端模块方面的专长与TriQuint在滤波器和多样化技术领域的优势。如今，RFMD的传承在Qorvo内部延续，继续为移动、基础设施和国防应用提供先进的射频解决方案。