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onsemi

onsemi- 大功率分立半导体模块

onsemi(前身为安森美半导体)是一家为绿色电子产品提供高性能、高能效硅解决方案的顶级供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司于1999年从摩托罗拉半导体部门分拆成立,逐步成长为全球半导体行业的创新者。核心业务涵盖电源管理、信号处理、逻辑、分立器件及定制半导体,服务于汽车、工业、通信、计算机、消费电子、医疗和军事/航空等市场。产品组合包括功率分立器件和模块,如MOSFET、IGBT以及EliteSiC品牌碳化硅器件,还有LDO、DC-DC转换器和控制器等电源管理IC。信号管理方面提供运算放大器、比较器、电压基准和数据转换器等产品。通过收购Catalyst Group,公司还拥有可编程存储器(EEPROM、闪存、NVRAM)以及数字电位计和微控制器监控电路。传感器产品线包括CMOS图像传感器、智能传感解决方案,以及激光雷达、超声波和接近传感器,用于高级驾驶辅助系统(ADAS)。公司在全球设有制造厂、设计中心和销售办事处,形成了增值型供应链网络,覆盖北美、欧洲和亚太地区。2009年公司收入为17.69亿美元,如今已成为《财富》美国500强企业和全球半导体前20强,尤其在汽车和工业功率半导体领域具有显著优势。

03

大功率分立半导体模块 - 型号列表

521 个型号

封装形式

连续漏极电流(Id)@ 25°C

系列

工作温度

最大功耗

栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs

最大栅源电压 Vgs

导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs

供应商器件封装

输入电容(Ciss)(最大)@ Vds

供电电压

配置

标准包装数量

包装方式

安装类型

漏源电压(Vdss)

RoHS

Vgs(th)(最大)@ Id

安装样式

工厂包装数量

电流

宽度

包装数量

制造商全称

制造商

零件状态

驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)

制造商零件编号库存价格包装方式工作温度系列RoHS封装形式安装类型最大栅源电压 Vgs连续漏极电流(Id)@ 25°C供电电压标准包装数量最大功耗栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs制造商零件状态配置FET类型技术FET特性Vgs(th)(最大)@ Id导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs供应商器件封装漏源电压(Vdss)输入电容(Ciss)(最大)@ Vds驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)宽度包装数量制造商全称产品工厂包装数量输出电压(最大)输入失调电压(最大)高度长度引脚数尺寸/外形等级资质认证安装样式机械寿命电流电压隔离电压类型功能产品类别最大额定电流每IC通道数标准封装名称欧盟RoHS最小输入电压集电极截止电流(最大)总长度位数外壳尺寸-插件通道类型印刷电路板数量Vce饱和电压(最大)平均正向功率
FMG1G300US60H

IGBT Modules

onsemi

153: ¥758.608-+ 150 C-NoPM-IA-+/- 20 V300 A600 V-----Single------------IGBT Silicon Modules---------ScrewObsolete-------------------
FMBL1G400US60

IGBT Modules

onsemi

----No-----------------------IGBT Silicon Modules----------Obsolete-----IGBT Modules-------------
FSAM75SM60SL

600V/75A SMART POWER MODULE FOR INVERTEK MODULE SPM 600V 75A SPM32DA IGBT Modules 600V/75A Smart Power

onsemi

101: ¥372.96Tube-FSAM75RoHS Compliant32-DIP Module----8----3 Phase Inverter-------------8----------75A600V2500VrmsIGBT---------------
FSBS10CH60L
2

600V 10A SMART POWER MODULE IGBT 600V 10A SMART POWER MODULE IG MODULE SPM IGBT 10A SPM27-BB Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 600V 10A SMART POWER MODULE IGBT

onsemi

-Tube-FSBS10CH60RoHS Compliant27-DIP Module---600V10----3 Phase Inverter-------------10----------10A600V2500VrmsIGBT--10A3 Phase Inverter-----------
FSBS8CH60T

600V,-8A 3 PHASE,IGBT, SMART POWER MODULE MODULE SPM IGBT 3PHASE SPM27-BC Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 600V,-8A 3 PHASE IGBT, SMART FSBS8CH60T

onsemi

-Tube-FSBS8RoHS Compliant-----10------------------10-----------------------------
FP7G150US60

Trans IGBT Module N-CH 600V 150A 7-Pin EPM

onsemi

--125--7EPMScrew±20 V--Rail / Tube450000---Dual---------35EPM---------------------EPMSupplier Unconfirmed600 V150 A93712.2N7--
STK443-530N-E

IGBT Modules IC HYBRID MOD AUD PWR AMP AB 2CH

ON Semiconductor

101: ¥163.20Reel-*Lead free / RoHS Compliant-----25-----------------IGBT Silicon Modules---------Through Hole--------------------
STK621-015B-E

IGBT Modules IC MOTOR DRIVER IGBT Modules 3PHASE INVERTER HIC

ON Semiconductor

104032: ¥122.536Bulk-*RoHS Compliant-----8----------------ON Semiconductor-------------------------------
CAX803RTBI-T3

Supervisor2.63VOpen-Drain,LowSOT23 电压监控器, 2.55V, 用于微处理器电源监控器, 3针 SOT-23封装

ON Semiconductor

--+85 °C---表面贴装--微处理器电源监控器---------------1.4mmSOT-23---5V2.5V1.12mm3.04mm33.04 x 1.4 x 1.12mm-----------------------
CAX803TTBI-T3

Supervisor3.08VOpen-Drain,LowSOT23 ON Semiconductor 电压监控器, 3V, 用于微处理器电源监控器, 3针 SOT-23封装

ON Semiconductor

288040: ¥0.992-+85 °C---表面贴装--微处理器电源监控器---------------1.4mmSOT-23---5V2.5V1.12mm3.04mm33.04 x 1.4 x 1.12mm--------Y--------------
CAX803LTBI-T3

Supervisor4.63VOpen-Drain,LowSOT23 ON Semiconductor 电压监控器, 4.5V, 用于微处理器电源监控器, 3针 SOT-23封装

ON Semiconductor

--+85 °C---表面贴装--微处理器电源监控器---------------1.4mmSOT-23---5V2.5V1.12mm3.04mm33.04 x 1.4 x 1.12mm--------Y--------------
FAM65V05DF1

IGBT Modules HEV Automotive Power Modules

onsemi

-Tube--RoHS Compliant----------------------Fairchild Semiconductor-------------------------------
NXH80T120L2Q0SG

IGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK

ON Semiconductor

--- 40 C-RoHS CompliantQ0PACK-+/- 20 V, +/- 20 V65 A, 59 A1.2 kV, 600 V--1.2 uA, 600 nA--T-Type-----------ON Semiconductor-----------------------------2.17 V, 1.3 V146 W, 66 W
FPF2C110BI07AS2

Discrete Semiconductor Modules High Power Module

onsemi

10504: ¥525.64Tray--RoHS Compliant----------------------Fairchild Semiconductor-------------------------------
FQB7N60TM_WS

. FQB7N60TM-WS - N-Channel 600 V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK) from Fairchild Semiconductor. from now!

onsemi

-Bulk-55°C ~ 150°C (TJ)QFET®-TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABSurface Mount±30V7.4A (Tc)--3.13W (Ta), 142W (Tc)38 nC @ 10 VFairchild SemiconductorObsolete-N-ChannelMOSFET (Metal Oxide)-5V @ 250µA1Ohm @ 3.7A, 10VTO-263 (D2PAK)600 V1430 pF @ 25 V10V----------------------------------
FQA7N80C_F109

Order onsemi FQA7N80C-F109 (2156-FQA7N80C-F109-488-ND) at . , view product specifications, and order online.

onsemi

11985186: ¥10.948Bulk-*---------onsemiActive--------------------------------------------
IRF644B_FP001

. IRF644B-FP001 - N-Channel 250 V 14A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3 from Fairchild Semiconductor. from now!

onsemi

636133: ¥15.368Bulk-55°C ~ 150°C (TJ)--TO-220-3Through Hole±30V14A (Tc)--139W (Tc)60 nC @ 10 VFairchild SemiconductorActive-N-ChannelMOSFET (Metal Oxide)-4V @ 250µA280mOhm @ 7A, 10VTO-220-3250 V1600 pF @ 25 V10V----------------------------------
IRFNL210BTA_FP001

. IRFNL210BTA-FP001 - N-Channel 200 V 1A (Tc) 3.1W (Ta) Through Hole TO-92L from onsemi. from now!

onsemi

-Bulk-55°C ~ 150°C (TJ)--TO-226-3, TO-92-3 Long BodyThrough Hole±30V1A (Tc)--3.1W (Ta)9.3 nC @ 10 VonsemiActive-N-ChannelMOSFET (Metal Oxide)-4V @ 250µA1.5Ohm @ 500mA, 10VTO-92L200 V225 pF @ 25 V10V----------------------------------
FDMS5361L_F085

. FDMS5361L-F085 - N-Channel 60 V 35A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount Power56 from Fairchild Semiconductor. from now!

onsemi

-Bulk-55°C ~ 175°C (TJ)PowerTrench®-8-PowerVDFNSurface Mount±20V35A (Tc)--75W (Tc)44 nC @ 10 VFairchild SemiconductorActive-N-ChannelMOSFET (Metal Oxide)-3V @ 250µA15mOhm @ 16.5A, 10VPower5660 V1980 pF @ 25 V4.5V, 10V-----------AutomotiveAEC-Q101---------------------
FCD5N60_F085

. FCD5N60-F085 - N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 54W (Tj) Surface Mount TO-252AA from onsemi. from now!

onsemi

-Bulk-55°C ~ 150°C (TJ)SuperFET™-TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63Surface Mount±30V4.6A (Tc)--54W (Tj)21 nC @ 10 VonsemiActive-N-ChannelMOSFET (Metal Oxide)-5V @ 250µA1.1Ohm @ 4.6A, 10VTO-252AA600 V570 pF @ 25 V10V-----------AutomotiveAEC-Q101---------------------
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