首页
制造商
onsemi
DDR SDRAM存储芯片

onsemi- DDR SDRAM存储芯片

onsemi（前身为安森美半导体）是一家为绿色电子产品提供高性能、高能效硅解决方案的顶级供应商，总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司于1999年从摩托罗拉半导体部门分拆成立，逐步成长为全球半导体行业的创新者。核心业务涵盖电源管理、信号处理、逻辑、分立器件及定制半导体，服务于汽车、工业、通信、计算机、消费电子、医疗和军事/航空等市场。产品组合包括功率分立器件和模块，如MOSFET、IGBT以及EliteSiC品牌碳化硅器件，还有LDO、DC-DC转换器和控制器等电源管理IC。信号管理方面提供运算放大器、比较器、电压基准和数据转换器等产品。通过收购Catalyst Group，公司还拥有可编程存储器（EEPROM、闪存、NVRAM）以及数字电位计和微控制器监控电路。传感器产品线包括CMOS图像传感器、智能传感解决方案，以及激光雷达、超声波和接近传感器，用于高级驾驶辅助系统（ADAS）。公司在全球设有制造厂、设计中心和销售办事处，形成了增值型供应链网络，覆盖北美、欧洲和亚太地区。2009年公司收入为17.69亿美元，如今已成为《财富》美国500强企业和全球半导体前20强，尤其在汽车和工业功率半导体领域具有显著优势。

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

共 326 个型号

制造商零件编号	库存	价格	标准包装数量	额定电压	封装形式	密度	字容量	工作温度	其他名称	产品类别	工厂包装数量	RoHS	抗辐射加固	ESD保护	转速	频率	接口	时钟速率	存取时间	存储器容量	存储器类型	数据转换器	最大频率	输出电流	供电电流	供电电压	最大额定电流	最小供电电压	每元件位数	写入周期时间 - 字、页	平均整流电流 Io	宽度	高度	长度	包装方式	安装类型	安装样式	引脚数	冷却的封装	包装数量	尺寸/外形	位数	供应商器件封装	系列	已删除	功能	结构（如双向、串接等）	制造商全称	可编程性	存储器格式	字符数	RAM容量/已安装	结工作温度	I/O 数量	端口数	地址数量	定时调节方式
4 CAT34C02YI-GT5 EEPROM Serial-I2C 2K-bit 256 x 8 1.8V/2.5V/3.3V/5V 8-Pin TSSOP T/R IC EEPROM 2KBIT 400KHZ 8TSSOP EEPROM Serial-I2C 2K 256x8 1.8/5V TSSOP8 EEPROM 2K-Bit I2C Serial EEPROM,SPD EEPROMSerial-I2C2K256x81.8/5VTSSOP8 ON Semiconductor CAT34C02YI-G EEPROM 存储器, 2kbit, 256 x, 8bit, 串行 - I2C接口, 900ns, 1.7 → 5.5 V, 8针 TSSOP封装 on semiconductor	4990	1: ¥2.856	Cut Tape, Tape & Reel	1.8\|2.5\|3.3\|5 V	8TSSOP	2 Kb	256	-40 to 85 °C	CAT34C02YI-GT5OSCT	EEPROM	5000	Lead free / RoHS Compliant	No	Yes	400kHz	0.4 MHz	Serial-I2C	0.4 MHz	900 ns	2K (256 x 8)	EEPROM	100(Min) Year	0.4 MHz	2 mA	2 mA	1.7 V ~ 5.5 V	1 mA	5.5 V	8bit	Yes	2 mA	3.1mm	1.05mm	4.5mm	Tape & Reel (TR)	Surface Mount	SMD/SMT	8	TSSOP	TSSOP	4.5 x 3.1 x 1.05mm	8Bit	8-TSSOP	CAT34C02	Compliant	Y	256 x 8 位	256x8	Yes	EEPROMs - Serial	256	2Kbit	85C	-	-	-	-
N01L163WC2AB2-55I TR 1MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N01L163WC2AT2-55I TR 1MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N01L163WN1AB2-55I TR 1MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N02L083WC2AT2-55I TR 2MB, X8, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N02L1618C1AB2-70I TR 2MB, X8, 1.8V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N02L163WC2AT2-55I TR 2MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1618C2AB2-70I TR 4MB, X16, 1.8V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1618C2BB2-70I 4MB, X16, 1.8V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1630C2BT2-55I TR 4MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1630C2BT2-70I 4MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L163WC2AB2-70I TR 4MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04Q1618C2BB2-70C TR 4MB, X16, 1.8V DR SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1618C2BT2-70I 4MB, X16, 1.8V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1618C2BT2-70I TR 4MB, X16, 1.8V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1630C2BB2-55I 4MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1630C2BB2-70I 4MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1630C2BB2-70I TR 4MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04L1630C2BT2-55I 4MB, X16, 3V SRAM on semiconductor	-		-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
N04Q1618C2BB2-70C SRAM Chip Async Single 1.8V 4M-Bit 256K x 16 70ns 48-Pin BGA on semiconductor	-		Trays	1.8 V	48BGA	4 Mb	256 K	0 to 70 °C	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	16 Bit	1	18 Bit	Asynchronous

第 1 / 17 页

onsemi- DDR SDRAM存储芯片

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

标准包装数量

额定电压

封装形式

密度

字容量

工作温度