芯天下
Micron Technology, Inc.

Micron Technology, Inc.- 存储器控制器

美光科技股份有限公司是全球领先的半导体存储器与存储解决方案提供商,总部位于美国爱达荷州博伊西市。公司成立于1978年,四十余年来始终致力于DRAM、NAND闪存及NOR闪存的研发与制造。美光的产品线涵盖高性能内存、固态硬盘、多芯片封装及托管型NAND等,为云数据中心、人工智能、移动终端、汽车电子及工业物联网等关键领域提供核心器件。在消费市场,美光通过旗下英睿达(Crucial)品牌为个人电脑和服务器提供内存及固态硬盘升级方案。美光以其先进的制程工艺著称,如1α纳米级别DRAM和176层堆叠NAND闪存,持续提升存储密度与能效。作为全球半导体行业的领军者,美光在DRAM市场稳居全球前三,在NAND闪存领域亦位列前茅。公司拥有超过4万项专利,研发投入巨大,制造网络遍布美国、亚洲及欧洲。美光股票以代码MU在纳斯达克上市交易,不断推动技术创新,助力全球数字化转型。

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存储器控制器 - 型号列表

374 个型号

存取时间

存储器架构

存储器容量

时钟频率

技术

基础产品编号

制造商零件编号库存价格零件状态存取时间存储器容量存储器类型时钟频率供电电压写入周期时间 - 字、页包装方式安装类型封装形式供应商器件封装制造商系列技术存储器格式存储器接口存储器架构DigiKey可编程工作温度基础产品编号
MT58L64L32FT85

IC SRAM 2MBIT PAR 100TQFP

Micron Technology Inc.

-Active8.5 ns2MbitVolatile100 MHz3.135V ~ 3.6V-BulkSurface Mount100-LQFP100-TQFP (14x20.1)Micron Technology Inc.SYNCBURST™SRAM - StandardSRAMParallel64K x 32Not Verified0°C ~ 70°C (TA)-
MT58L64L18PT75

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 100TQFP

Micron Technology Inc.

-Active4.2 ns1MbitVolatile133 MHz3.135V ~ 3.6V-BulkSurface Mount100-LQFP100-TQFP (14x20.1)Micron Technology Inc.SYNCBURST™SRAMSRAMParallel64K x 18Not Verified0°C ~ 70°C (TA)MT58L64L18
MT58L64L36DT75

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 100TQFP

Micron Technology Inc.

-Active4 ns2MbitVolatile133 MHz3.135V ~ 3.6V-BulkSurface Mount100-LQFP100-TQFP (14x20.1)Micron Technology Inc.SYNCBURST™SRAMSRAMParallel64K x 36Not Verified0°C ~ 70°C (TA)MT58L64L36
MT29F128G08CEC>

MLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 128Gbit 16G x 8bit 100-Pin VBGA

micron

---------------------
MT29F128G08AUC>

SLC NAND Flash Parallel/Serial 3.3V 128Gbit 16G x 8bit 100-Pin LBGA

micron

---------------------
MT29F1G01AAADD>

SLC NAND Flash Serial 3.3V 1Gbit 1G x 1bit 63-Pin VFBGA

micron

---------------------
MT29F2G16ABBEA>

SLC NAND Flash Parallel 1.8V 2Gbit 128M x 16bit 63-Pin VFBGA Tray

micron

---------------------
MT29F128G08CEA>

MASS STORAGE WITH 128GB DENSITY

micron

---------------------
MT18JDF51272P>>

DRAM Module DDR3 SDRAM 4Gbyte 240RDIMM

micron

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MT29F1G08ABA>B>

Flash Mem Parallel 3.3V 1G-Bit 128M x 8 48-Pin TSOP-I Tray

micron

---------------------
MT29F2G08ABA>A>

SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2Gbit 256M x 8bit 63-Pin VFBGA Tray

micron

---------------------
MT41J128M16H>>>

DRAM Chip DDR3 SDRAM 2G-Bit 128Mx16 1.5V 96-Pin FBGA

micron

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MT41J128M8JP>B>

DRAM Chip DDR3 SDRAM 1G-Bit 128Mx8 1.5V 78-Pin FBGA Tray

micron

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MT46H32M16LF>C>

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA Tray

micron

---------------------
N25Q128A13ESF>>

NOR Flash Serial-SPI 3V/3.3V 128Mbit 128M/64M/32M x 1bit/2bit/4bit 7ns 16-Pin SO W T/R

micron

---------------------
MT46H32M16LF>D>

DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 60-Pin VFBGA Tray

micron

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MT48H32M16LF>B>

DRAM Chip Mobile LPSDR SDRAM 512M-Bit 32Mx16 1.8V 54-Pin VFBGA

micron

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MT8JSF25664HZ>>

DRAM Module DDR3 SDRAM 2Gbyte 204SODIMM Tray

micron

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MT29F4G08ABA>>>

SLC NAND Flash Parallel 3.3V 4Gbit 512M x 8bit 25ns 63-Pin VFBGA

micron

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MT16KTF51264HZ>

DRAM Module DDR3L SDRAM 4Gbyte 204SODIMM

micron

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