芯天下
Micron Technology, Inc.

Micron Technology, Inc.- 网络与通信

美光科技股份有限公司是全球领先的半导体存储器与存储解决方案提供商,总部位于美国爱达荷州博伊西市。公司成立于1978年,四十余年来始终致力于DRAM、NAND闪存及NOR闪存的研发与制造。美光的产品线涵盖高性能内存、固态硬盘、多芯片封装及托管型NAND等,为云数据中心、人工智能、移动终端、汽车电子及工业物联网等关键领域提供核心器件。在消费市场,美光通过旗下英睿达(Crucial)品牌为个人电脑和服务器提供内存及固态硬盘升级方案。美光以其先进的制程工艺著称,如1α纳米级别DRAM和176层堆叠NAND闪存,持续提升存储密度与能效。作为全球半导体行业的领军者,美光在DRAM市场稳居全球前三,在NAND闪存领域亦位列前茅。公司拥有超过4万项专利,研发投入巨大,制造网络遍布美国、亚洲及欧洲。美光股票以代码MU在纳斯达克上市交易,不断推动技术创新,助力全球数字化转型。

03

网络与通信 - 型号列表

234 个型号

额定电压

密度

字容量

标准包装数量

存储器类型

封装形式

供应商器件封装

标准封装名称

每元件位数

引脚样式

包装数量

主要材料

位数

印刷电路板数量

工作温度

RoHS

转速

电压

接口

存储器容量

供电电压

最大额定电流

最小供电电压

宽度

总长度

外壳尺寸-插件

地址数量

定时调节方式

制造商零件编号库存价格工作温度最小起订量单位包装标准封装名称额定电压每元件位数引脚样式安装类型包装数量主要材料位数密度字容量印刷电路板数量标准包装数量转速接口存储器容量存储器类型供电电压包装方式封装形式供应商器件封装存储器格式RoHS欧盟RoHS电压最大额定电流最小供电电压宽度总长度外壳尺寸-插件安装位置架构存储器架构地址数量定时调节方式共模瞬态抗扰度(最小)
MT46V64M4T16AWC1

64X4 SDRAM DDR DIE

micron

---------------------------------------
MT9P001I12STC:B

CMOS SENSOR CMOS IMAGER BOISE ASSEMBLY LCC 48 P

micron

--10-----------------------------------
MT9D011D00STC-C15LC1

MICMT9D011D00STC-C15LC1 2MP SENSOR-ONLY

micron

---------------------------------------
CF128M-SMHY2-0642

MICCF128M-SMHY2-0642 128MB CF MEMORYCARD

micron

---------------------------------------
MT29F2G08AADWP

2G NAND FLASH MEMORY 256MBX8

micron

---------------------------------------
MT29F4G08AACWC:C

MICMT29F4G08AACWC:C 4GB SLC NAND TSOP 3. SLC NAND Flash 3.3V 4Gbit 512M x 8bit 48-Pin TSOP 512MX8 NAND FLASH PLASTIC PBF TSOP

micron

1013: ¥74.807010TSOP3.38Gull-wingSurface MountTSOPSLC NAND484G512M48------------------------
TE28F320J3D75894037

NUMTE28F320J3D75894037 EMBEDDED FLASH ME

micron

---------------------------------------
GE28F160C3TD70A

MM#853978FLASH 28F160C3TD 70 VF-PBGA46 C NOR Flash Parallel 3V/3.3V 16Mbit 1M x 16bit 70ns 48-Pin VFBGA Tray IC FLASH 16MBIT 70NS 46VFBGA

micron

101500: ¥15.5836-40°C ~ 85°C--BGA2.716BallSurface MountVFBGANOR4816M1M4825070nsParallel16M (1M x 16)Advanced + Boot Block FLASHYesTray46-VFBGA46-VFBGAFLASHRoHS non-compliantNot Compliant1.65 to 3.6|11.4 to 12.6183.66.967.290.67TopSectoredAsymmetrical20AsynchronousExtended
JS28F160B3TD70A

MM#866262FLASH 28F160B3TD 70 TSOP48 COMM IC FLASH 16MBIT 70NS 48TSOP

micron

211: ¥151.7828-40°C ~ 85°C-------------9670nsParallel16M (1M x 16)Advanced Boot Block FLASH2.7 V ~ 3.6 VTray48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)48-TSOP (18.4x12)FLASH--------------
MT48H16M16LFBF-75

MICMT48H16M16LFBF-75 IT:G 256MB MOBILE S

micron

---------------------------------------
NAND512W3A2CND

512 NAND

micron

---------------------------------------
TE28F640P30T85A

EMBEDEED FLASH MEMORY NOR Flash Parallel/Serial 1.8V 64Mbit 4M x 16bit 85ns 56-Pin TSOP Tray IC FLASH 64MBIT 85NS 56TSOP

micron

--40°C ~ 85°C--TSOP1.716Gull-wingSurface MountTSOPNOR5664M4M5657685nsParallel|Serial64M (4M x 16)FLASH - NORYesTray56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)56-TSOP (14x20)FLASHContains lead / RoHS non-compliantNot Compliant8.5 to 9.528218.4140.99TopSectoredAsymmetrical22Asynchronous|Synchronous-
M36C0W6050T0ZSPE

NUMM36C0W6050T0ZSPE MCP 64MB NOR+32MB PS

micron

---------------------------------------
PH28F640W18BD60B

NUMPH28F640W18BD60B PH28F640W18BD60S L78

micron

102000: ¥34.782--------------------------------------
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MT29C2G48MAJJCJC-5 IT

64MX16 DDR2 SDRAM PLASTIC LOW POWER COMMERCIAL PBF FBGA 1.8V 256MX8/128MX16 MCP PLASTIC IND TEMP

micron

--10-----------------------------------
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