GaNPower Semiconductor Inc.（氮化镓功率半导体公司）是一家领先的无晶圆厂半导体企业，于2015年在加拿大温哥华成立，并在亚洲设有强大的研发和运营中心。公司完全专注于先进氮化镓（GaN）功率半导体器件的设计、开发和商业化，这些器件能为电源转换系统带来更高的效率、更高的功率密度和更小的体积。其核心产品线包括增强型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）和高度集成的GaN功率IC，在一颗芯片中集成了栅极驱动、保护电路和GaN开关。主打产品系列有GPI6xxx家族GaN功率IC和GPIx系列分立GaN FET，电压覆盖范围为100 V至650 V。GaNPower的器件广泛应用于消费类适配器、快充、服务器电源、通信整流器和新能源逆变器，开关频率可比硅MOSFET高出五倍以上。公司在单片GaN集成和栅极驱动器设计领域拥有关键专利，使其在快速成长的宽禁带半导体市场中占据技术优势。虽然在细分市场中与Navitas、GaN Systems、EPC等厂商竞争，GaNPower凭借高性价比、高可靠性解决方案迅速赢得认可，并建立了全球分销网络。通过持续创新，GaNPower正助力加速GaN技术在主流电力电子中的普及，并定位于成为下一代功率半导体行业中不可忽视的新锐力量。