长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies, Inc.）成立于2016年，总部位于中国合肥，是一家专注于动态随机存取存储器（DRAM）设计、制造与销售的领先半导体企业。公司旨在降低中国对进口内存芯片的依赖，并已迅速发展成为全球主要的DRAM制造商之一。长鑫存储专注于采用先进工艺技术（包括19纳米和17纳米节点）开发和生产高密度DRAM产品。其产品组合涵盖DDR4、LPDDR4和LPDDR5内存芯片，广泛应用于移动设备、个人电脑、服务器和消费电子等领域。公司以“鑫安”品牌销售DRAM芯片，在国内外市场获得了广泛认可和应用。长鑫存储在合肥拥有一座先进的12英寸晶圆制造厂，月产能超过20万片，为全球DRAM供应做出了重要贡献。作为中国最大的国产DRAM制造商，长鑫存储在全球DRAM市场的份额不断增长，对三星、SK海力士和美光等传统巨头形成挑战。公司高度重视研发，拥有数千项专利，并持续提升工艺技术以改善性能并降低功耗。尽管规模仍小于三大巨头，但长鑫存储的积极扩张和政府支持使其成为国家半导体自给自足战略中的关键角色。长鑫存储的技术路线图包括开发DDR5和下一代内存解决方案，以服务于高性能计算和人工智能应用。