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Analog Devices, Inc.
DDR SDRAM存储芯片

Analog Devices, Inc.- DDR SDRAM存储芯片

Analog Devices, Inc.（简称ADI）是一家全球领先的半导体公司，成立于1965年，总部位于美国马萨诸塞州诺伍德市。公司专注于高性能模拟、混合信号和数字信号处理（DSP）集成电路的设计与制造。ADI连接物理与数字世界，提供涵盖检测、测量、解析、连接和电源管理的完整解决方案。其产品线极为丰富，主要包括数据转换器（模数/数模转换器）、放大器、射频IC、电源管理芯片、MEMS传感器以及Blackfin和SHARC系列DSP处理器。射频产品覆盖从高性能功能模块到全集成的ISM频段和宽带单芯片收发器，关键产品包括PLL频率合成器、TruPwr RMS功率检测器、低噪声放大器、混频器和调制解调器。ADI服务于全球超过12.5万家客户，遍及工业、汽车、通信、医疗和消费电子领域。作为业界公认的数据转换和信号处理技术领导者，公司在精密模拟市场占据显著份额。ADI在纳斯达克上市（代码ADI），是标准普尔500指数成分股，全球拥有逾2.6万名员工，以创新、业绩和卓越为文化支柱，持续引领技术发展。

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

共 4 个型号

制造商零件编号	库存	价格	接口	存储器容量	供电电压	宽度	高度	长度	制造商全称	工作温度	存取时间	核心数/总线宽度	额定电压	最小供电电压	安装类型	引脚数	冷却的封装	包装数量	尺寸/外形	位数	标准包装数量	RoHS	存储器类型	包装方式	封装形式	供应商器件封装	类型	密度	存储器格式	结构（如双向、串接等）	RAM容量/已安装	零件号别名	工厂包装数量	转速	供电电流	平均整流电流 Io	安装样式	系列	总线连接	机械寿命	SVHC	海关税号	零件状态	存储器	数据转换器	重量	端接方式	材料表面处理	SPG	单元数量	使用的IC/零件
2 DS1230WP-100IND+ NVRAM NVSRAM Parallel 256K-Bit 3.3V 34-Pin PowerCap Module NVRAM 3.3V 256k Nonvolatile SRAM IC NVSRAM 256KBIT 100NS 34PCM Analog Devices, Inc.	-		Parallel	256 Kbit	3.3 V	25.02 mm	2.03 mm	23.5 mm	32Kx8	-40 to 85 °C	100 ns	8 Bit	-	-	-	-	-	-	-	-	Rail / Tube	RoHS Compliant	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)	Tube	34PowerCap Module	34-PowerCap Module	NVSRAM	256 Kb	RAM	-	-	90-1230W+P1I	40	100ns	50 mA	50 mA	SMD/SMT	DS1230W	Parallel	Obsolete	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
9 DS2431+ EEPROM Serial-1Wire 1K-bit 4Pages x 256 3.3V/5V 3-Pin TO-92 1-W EEPROM 1KB TO92 (GENERIC) IC EEPROM 1KBIT TO92-3 DS2431+, Serial EEPROM Memory 1kbit, 2.8 to 5.25V, 3-Pin TO-92 IC, EEPROM, 1KB, 1-WIRE, TO-923 1024bitEEPROMMemory,1-wirebus Memory; EEPROM; 1-wire; 2.8÷5.25V; TO92 1-Wire 1 kbit EEPROM TO-92, DS2431+, Maxim Maxim 串行 EEPROM 存储器, 1kbit, 2.8 → 5.25 V, 3针 TO-92封装 EEPROM 1024-Bit 1-Wire EEPROM Analog Devices, Inc.	1252	1: ¥17.283	Serial-1Wire	1K (256 x 4)	:2.8V	3.94mm	4.95mm	4.95mm	4Pagesx256	-40 to 85 °C	-	-	3.3\|5 V	5.25 V	Through Hole	:3	TO-92	1000	4.95 x 3.94 x 4.95mm	3	Rail / Tube	Lead free / RoHS Compliant	EEPROM	Bulk	3TO-92	TO-92-3	memory	1 Kb	EEPROMs - Serial	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	:No SVHC (20-Jun-2013)	85411000	:DS2431	:256 x 4	40(Min) Year	0.0002	:Through Hole	:-	1000	1	:DS2431+
2 DS1230AB150+ DS1230AB150+, NVRAM Memory 256kbit Through Hole, 4.75 to 5.25V, 0 to +70°C, 28-Pin, EDIP , 256kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V, 0 → +70 °C, 28针 EDIP封装 Analog Devices, Inc.	-		Parallel	256kbit	4.75 V	18.8mm	9.4mm	39.12mm	32K x 8 bit	+70 °C	150ns	8bit	4.75 V	5.25 V	Through Hole	28	EDIP	EDIP	39.12 x 18.8 x 9.4mm	28	-	-	-	-	-	-	-	-	-	32K x 8 位	256Kbit	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-
2 DS1220AB150+ DS1220AB150+, NVRAM Memory 16kbit Through Hole, 4.75 to 5.25V, 0 to +70°C, 24-Pin, EDIP , 16kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V, 0 → +70 °C, 24针 EDIP封装 Analog Devices, Inc.	-		Parallel	16kbit	4.75 V	18.29mm	9.4mm	34.04mm	2K x 8 bit	+70 °C	150ns	8bit	4.75 V	5.25 V	Through Hole	24	EDIP	EDIP	34.04 x 18.29 x 9.4mm	24	-	-	-	-	-	-	-	-	-	2K x 8 位	16Kbit	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

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Analog Devices, Inc.- DDR SDRAM存储芯片

DDR SDRAM存储芯片 - 型号列表

存储器容量

宽度

长度

制造商全称

供电电压

高度

引脚数

尺寸/外形

位数

RoHS

接口

存取时间

存储器类型

包装方式

封装形式

供应商器件封装

核心数/总线宽度

类型

密度

存储器格式

工作温度

额定电压

冷却的封装

包装数量

结构（如双向、串接等）

RAM容量/已安装