厂商型号:

VND3NV04-1-E

芯天下内部编号:
390-VND3NV04-1-E
生产厂商:

stmicroelectronics

microsemi
描述:
P
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3IPAK
类型 Low Side
输出数 1
最小输出电流 3.5 A
电源电流 0.1 mA
最大功率耗散 35000 mW
开关导通电阻 0.12(Max) Ohm
安装 Through Hole
标准包装 Rail / Tube
供应商封装形式 IPAK
欧盟RoHS指令 Compliant
包装宽度 2.4(Max)
标准包装名称 IPAK
包装高度 6.2(Max)
电源电流 0.1
封装 Tube
开关导通电阻 0.12(Max)
标签 Tab
PCB 3
包装长度 6.6(Max)
最大功率耗散 35000
最小输出电流 3.5
引脚数 3
铅形状 Through Hole
匹配代码 VND3NV04-1-E
单位包 75
标准的提前期 42 weeks
最小起订量 3000
OL Detec.ad关 NY/N/NA/NAN
OL检测 NANY/N/NA/NAN
通道 1
V( OP ,最大) 45V
T(j,min) -40°C
OL Detec.ad开 NY/N/NA/NAN
无铅Defin RoHS-conform
我( LIM ,分) /通道 3.5A
汽车 AEC-Q(100)
T(j,max) 150°C
R(上,典型值) /通道 120mOhm
安装类型 Through Hole
供应商设备封装 I-Pak
导通状态电阻 120 mOhm
输入类型 Non-Inverting
电流 - 峰值输出 5A
封装/外壳 TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 75
产品 MOSFET Gate Drivers
产品种类 Gate Drivers
上升时间 250 ns
安装风格 Through Hole
功率耗散 35 W
最低工作温度 - 40 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
下降时间 250 ns

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