microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 16CDIP |
| 配置 | Array 7 |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 95 V |
| 峰值直流集电极电流 | 0.5 A |
| 最小直流电流增益 | 1000@350mA@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1.1@250uA@100mA V |
| 安装 | Through Hole |
| 抗辐射 | Yes |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | CDIP |
| 标准包装名称 | CDIP |
| 最高工作温度 | 125 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 0.5 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.6@500uA@350mA|1.3@350uA@200mA|1... |
| 每个芯片的元件数 | 7 |
| PCB | 16 |
| 筛选等级 | Military |
| 最大集电极发射极电压 | 95 |
| 引脚数 | 16 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 500mA |
| 晶体管类型 | 7 NPN Darlington |
| 安装类型 | * |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 95V |
| 供应商设备封装 | * |
| 封装 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 350mA, 2V |
| 其他名称 | 1259-1109 |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 集电极电流（DC ） | 0.5 A |
| 集电极 - 发射极电压 | 95 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.6 V |
| 工作温度范围 | -55C to 125C |
| 包装类型 | CDIP |
| 极性 | NPN |
| 元件数 | 7 |
| 直流电流增益 | 1000 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | Yes |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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