所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Capacitance,Gate | 32.3nF |
| Current,Collector | 642A |
| EnergyRating | 100mJ |
| PackageType | SEMiX®33c |
| 极性 | N-Channel |
| PrimaryType | Si |
| Resistance,Thermal,JunctiontoCase | 0.061K/W |
| SwitchingLoss | 95@125°C(Typ.) |
| TransistorType | IGBT |
| 类型 | Trench |
| VoltageandCurrentRating | 1200V,700A@25°C |
| Voltage,CollectortoEmitterShorted | 1200V |
| Voltage,CollectortoEmitter,Saturation | 1.7V |
| Voltage,Saturation,CollectortoEmitter | 1.7V@25°C(Typ.) |
| V(CES) | 1200 V |
| I(C ) | 450 A |
| 净重 | 0.882 千克 |
| 原产国 | 斯洛伐克 |
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