renesas electronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220FL |
| 配置 | Single |
| 最大集电极发射极电压 | 600 V |
| 最大连续集电极电流 | 35 A |
| 最大栅极发射极电压 | ±30 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 供应商封装形式 | TO-220FL |
| 最大栅极发射极电压 | ±30 |
| 最大连续集电极电流 | 35 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| Package Width | 4.5 |
| 标准包装名称 | TO-220FL |
| Package Height | 15 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tube |
| 最大集电极发射极电压 | 600 |
| 标签 | Tab |
| PCB | 3 |
| Package Length | 10 |
| Minimum Operating Temperature | -55 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| P（ TOT ） | 30W |
| 匹配代码 | RJH60D3DPP-M0#T2 |
| I（C ） | 35A |
| TD （上） | 30nS |
| 单位包 | 1 |
| 标准的提前期 | 14 weeks |
| 最小起订量 | 1 |
| T（ R） | 15nS |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| TD （关闭） | 80nS |
| 汽车 | NO |
| V（ CE ） | 600V |
| V（ CESAT ） | 2.0V |
| 技术 | Thin Wafer |
| 栅极电荷 | 36nC |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 35A |
| 安装类型 | Through Hole |
| 时间Td（开/关） @ 25°C | 30ns/80ns |
| Vce（开） （最大值） Vge，Ic时 | 2.2V @ 15V, 17A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 600V |
| 供应商设备封装 | TO-220FL |
| 功率 - 最大 | 30W |
| 输入类型 | Standard |
| 封装/外壳 | TO-220-3 Full Pack |
| IGBT类型 | Trench |
| 测试条件 | 300V, 17A, 5 Ohm, 15V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 开关能量 | 200µJ (on), 210µJ (off) |
| 反向恢复时间（trr ） | 100ns |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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