Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| RoHS | No |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 封装/外壳 | T-1 3/4 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 下降时间 | 7 us |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装 | Bulk |
| 上升时间 | 7 us |
| 类型 | IR Chip |
| 寿命 | Obsolete |
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