Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 100 mW |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 封装/外壳 | T-1 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 下降时间 | 5 us |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装 | Bulk |
| 上升时间 | 5 us |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 类型 | Photo Transistor |
| 零件号别名 | QSC113_NL |
| 寿命 | End of Life: Scheduled for obsolescence and will be discontinued by the manufacturer. |
| 寿命 | Obsolete |
| 极性 | NPN |
| Maximum Light Current | 9600 |
| 安装 | Through Hole |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4 |
| 引脚数 | 2 |
| PCB | 2 |
| 最大功率耗散 | 100 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 最大下降时间 | 5000(Typ) |
| 最大暗电流 | 100 |
| 峰值波长 | 880 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 光电晶体管类型 | Phototransistor |
| 供应商封装形式 | T-1 |
| 标准包装名称 | T-1 |
| 最高工作温度 | 100 |
| Maximum Emitter Collector Voltage | 5 |
| 镜片颜色 | Black Transparent |
| Half Intensity Angle Degrees | 4 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| Package Height | 5.66 |
| Package Diameter | 3.94 |
| 最大集电极电流 | 9 |
| 最大上升时间 | 5000(Typ) |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 暗（ Id）（最大） | 100nA |
| 定位 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole |
| 系列 | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 可视角度 | 8° |
| 功率 - 最大 | 100mW |
| 标准包装 | 250 |
| 波长 | 880nm |
| 封装/外壳 | T-1 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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