texas instruments
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC |
| 每个芯片的通道数 | 2 |
| 类型 | General Purpose Amplifier |
| 典型增益带宽积 | 8 MHz |
| 典型的转换率 | 2.3@±15V V/us |
| 最大输入失调电压 | 0.2@±15V mV |
| 最大输入偏置电流 | 0.01@±15V uA |
| 典型输入噪声电压密度 | 3.5@±15V nV/rtHz |
| 最低CMRR | 120 dB |
| 最小双电源电压 | ±2.5 V |
| 安装 | Surface Mount |
| 工作温度 | -40 to 85 °C |
| 典型的同相输入噪声电流密度 | 0.4@±15V pA/rtHz |
| 典型电压增益 | 160 dB |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 制造商类型 | Low Noise Amplifier |
| 轨至轨 | No |
| Package Width | 4(Max) |
| PCB | 8 |
| 最大双电源电压 | ±18 |
| 最大输入偏置电流 | 0.01@±15V |
| 封装 | Tube |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 典型增益带宽积 | 8 |
| 典型电压增益 | 160 |
| 电源类型 | Dual |
| 最低CMRR | 120 |
| 最低工作温度 | -40 |
| 供应商封装形式 | SOIC |
| 标准包装名称 | SOIC |
| 最高工作温度 | 85 |
| 最小双电源电压 | ±2.5 |
| 典型双电源电压 | ±3|±5|±9|±12|±15 |
| 关机支持 | No |
| Package Length | 5(Max) |
| 引脚数 | 8 |
| Maximum Input Offset Current | 0.01@±15V |
| 最大输入失调电压 | 0.2@±15V |
| Package Height | 1.5(Max) |
| Minimum PSRR | 126.02(Typ) |
| 典型的转换率 | 2.3@±15V |
| 技术 | Bipolar |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 输出/通道 | 45mA |
| 放大器类型 | General Purpose |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 供应商设备封装 | 8-SOIC |
| 电流 - 电源 | 3.7mA |
| Voltage - Supply, Single/Dual (±) | 5 V ~ 36 V, ±2.5 V ~ 18 V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 压摆率 | 2.3 V/µs |
| 电流 - 输入偏压 | 2.5nA |
| 电压 - 输入偏移 | 10µV |
| 电路数 | 2 |
| 增益带宽积 | 8MHz |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 电源电流 | 3.8 mA |
| 工作电源电压 | 5 V to 36 V, +/- 2.5 V to +/- 18 V |
| 产品种类 | Operational Amplifiers - Op Amps |
| 共模抑制比 - 闵 | 120 dB |
| 单位重量 | 0.002677 oz |
| 通道数 | 2 Channel |
| 最高工作温度 | + 85 C |
| 输入偏置电流 - 最大 | 10 nA |
| 关机 | No Shutdown |
| 最大双电源电压 | +/- 18 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 输出电流 | 45 mA |
| 系列 | OPA2227 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 输入失调电压 | 200 uV |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 工作温度范围 | -40C to 85C |
| 元件数 | 2 |
| 共模抑制比 | 120 dB |
| 工作温度分类 | Industrial |
| 电源要求 | Dual |
| Dual Supply Voltage (Min) | �2.5 V |
| 铁/铁I / O类型 | No |
| 关机功能 | No |
| 弧度硬化 | No |
| Dual Supply Voltage (Max) | �18 V |
| 电源抑制比 | 126.02 dB |
| 电压增益（dB） | 160 dB |
| 单位增益带宽积（典型值） | 8MHz |
| 输入偏置电流 | 10 nA |
| 单电源电压（最小值） | Not Required V |
| 单电源电压（最大值） | Not Required V |
| 单电源电压（典型值） | Not Required V |
| 包装类型 | SOIC |
| 单位增益带宽积 | 8MHz |
| Status | ACTIVE |
| Temp (oC) | -40 to 85 |
| Package | Pins | SOIC (D) | 8 |
| Device Marking | View |
| Package QTY | Carrier | 75 | TUBE |
| New Flag | |
| Functional Diagram | fbd_sbos110b.gif |
| CMRR | 120 |
| GBW | 8 |
| Reference Design | |
| HiRel | |
| Package Group | PDIP SOIC |
| BW @ Acl | |
| Vs | 36 |
| Iib | |
| 附加功能 | |
| Rail-to-Rail | |
| 工作温度范围 | -40 to 85 |
| IIB | 10000 |
| Datasheet | SBOS110B |
| 建筑 | |
| Vn at Flatband | |
| Iq per channel | 3.8 |
| TI Design | |
| Vos (Offset Voltage @ 25C) | 0.075 |
| Rating | Catalog |
| Offset Drift | 0.1 |
| Vn at 1kHz | 3 |
| Total Supply Voltage | 5 |
| Acl, min spec gain | |
| Settling Time (01%) | |
| Offset Voltage Drift (+/-) | |
| Io | |
| 典型双电源电压 | ±12 V, ±15 V, ±3 V, ±5 V, ±9 V |
| 典型电压增益 | 160 dB |
| 典型增益带宽积 | 8MHz |
| 最高工作温度 | +85°C |
| 典型转换速率 | 2.3V/µs |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 电源类型 | 双 |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 高度 | 1.58mm |
| 宽度 | 3.91mm |
| 封装类型 | SOIC |
| 引脚数目 | 8 |
| 长度 | 4.9mm |
| 每片芯片通道数目 | 2 |
| 尺寸 | 4.9 x 3.91 x 1.58mm |
| 典型输入电压噪声密度 | 3.5nV/√Hz |
| 电源类型 | Single, Dual |
| 双电源电压 | +/- 3 V, +/- 5 V, +/- 9 V |
| 工作电源电流 | 3.7 mA |
| Ib - Input Bias Current | 10 nA |
| 产品 | Operational Amplifiers |
| GBP - Gain Bandwidth Product | 8 MHz |
| 品牌 | Texas Instruments |
| CMRR - Common Mode Rejection Ratio | 120 dB |
| SR - Slew Rate | 2.3 V/us |
| PSRR - Power Supply Rejection Ratio | 126.02 dB |
| en - Input Voltage Noise Density | 3.5 nV/sqrt Hz |
| 长度 | 4.9 mm |
| 电源电压 - 最大 | 36 V |
| In - Input Noise Current Density | 0.4 pA/sqrt Hz |
| 电源电压 - 最小 | 5 V |
| 电压增益dB | 160 dB |
| Vos - Input Offset Voltage | 200 uV |
| Output Current per Channel | 45 mA |
| 身高 | 1.58 mm |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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