所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4PDIP |
| 输入类型 | AC |
| 输出类型 | DC |
| 每个芯片的通道数 | 1 |
| 典型正向电压 | 1.4 V |
| 最大集电极电流 | 80 mA |
| 最大集电极发射极电压 | 35 V |
| 最大上升时间 | 18 us |
| 最大正向电压 | 1.7 V |
| 最小绝缘电压 | 5000 Vrms |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 200 mV |
| 最大电流传输比@电流 | 80 % |
| 最大输入电流 | 150 mA |
| 最大功率耗散 | 320 mW |
| 工作温度 | -30 to 100 °C |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 产品种类 | Transistor Output Optocouplers |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 隔离电压 | 5000 Vrms |
| 电流传输比 | 80 % |
| 最大正向二极管电压 | 1.7 V |
| 最大输入二极管电流 | 150 mA |
| 最高工作温度 | + 100 C |
| 最低工作温度 | - 30 C |
| 封装/外壳 | PDIP-4 |
| 封装 | Tube |
| 最大下降时间 | 18 us |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 电流 - 输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比(最小值) | 20% @ ±100mA |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流传输比(最大) | 80% @ ±100mA |
| 下的Vce饱和度(最大) | 200mV |
| 电压 - 输出 | 35V |
| 通道数 | 1 |
| 电流 - DC正向(If ) | ±150mA |
| 电压 - 隔离 | 5000Vrms |
| 其他名称 | LTV814HM |
| 封装/外壳 | 4-DIP (0.400", 10.16mm) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 下降时间 | 18 us |
| If - Forward Current | 100 mA |
| 品牌 | Lite-On |
| Vf - Forward Voltage | 1.7 V |
| 长度 | 4.6 mm |
| 上升时间 | 18 us |
| 身高 | 3.5 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极击穿电压 | 35 V |
| Pd - Power Dissipation | 320 mW |
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