Microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| 最小直流电流增益 | 40@20mA@10V|30@2mA@10V|10@0.2mA@10V |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 标准包装名称 | TO-205-AF |
| 包装高度 | 6.6(Max) |
| 安装 | Through Hole |
| Package Diameter | 9.4(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 |
| PCB | 3 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 450 |
| 供应商封装形式 | TO-39 |
| 筛选等级 | Military |
| 最大集电极发射极电压 | 350 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 800 |
| 系列 | * |
| 其他名称 | 1086-2695 |
| 标准包装 | 1 |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1 A |
| 集电极 - 基极电压 | 450 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 350 V |
| 发射极 - 基极电压 | 7 V |
| 功率耗散 | 0.8 W |
| 工作温度范围 | -55C to 200C |
| 包装类型 | TO-39 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 40 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | NPN |
| 删除 | Not Compliant |
| 直流电流增益 | 40 |
| 集电极电流（DC ） | 1 A |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 4mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 2µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 350V |
| 供应商设备封装 | TO-39 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 封装/外壳 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 40 @ 20mA, 10V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 500 mV |
| 直流电流增益hFE最大值 | 160 at 20 mA at 10 V |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 at 20 mA at 10 V |
| Pd - Power Dissipation | 800 mW |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 350 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 7 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 450 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| 品牌 | Microsemi |
| RoHS | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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