microsemi
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-39 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 A |
| 最小直流电流增益 | 75@0.1mA@10V|100@1mA@10V|100@10mA@10V|100@150mA@10V|50@500mA@10V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 最大功率耗散 | 600 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 0.6 |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 标准包装名称 | TO-205-AF |
| Package Height | 6.6(Max) |
| Package Diameter | 9.4(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| PCB | 3 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 60 |
| 供应商封装形式 | TO-39 |
| 筛选等级 | Military |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 最大功率耗散 | 600 |
| 系列 | * |
| 其他名称 | 1086-2683 |
| RoHS指令 | Contains lead / RoHS non-compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.6 A |
| 集电极 - 基极电压 | 60 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 功率耗散 | 0.6 W |
| 工作温度范围 | -65C to 200C |
| 包装类型 | TO-39 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 100 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极电流（DC ） | 0.6 A |
| 直流电流增益 | 75 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 600mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | * |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | * |
| 封装 | * |
| 功率 - 最大 | 800mW |
| 封装/外壳 | * |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 10V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 400 mV |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 品牌 | Microsemi |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| Pd - Power Dissipation | 800 mW |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 200 C |
| RoHS | No |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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