INFINEON TECHNOLOGIES AG
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 高度 | 2.4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 长度 | 10.58mm |
| 典型输入电容值@Vds | 11200 pF @ 50 V |
| 通道模式 | 增强 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0037 Ω |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 通道类型 | N |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 宽度 | 10.1mm |
| 尺寸 | 10.58 x 10.1 x 2.4mm |
| 正向二极管电压 | 1V |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 典型接通延迟时间 | 34 ns |
| 典型关断延迟时间 | 84 ns |
| 封装类型 | HSOF |
| 最大连续漏极电流 | 300 A |
| 引脚数目 | 8 |
| 正向跨导 | 250s |
| 晶体管配置 | 单 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 156 nC @ 10 V |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| 宽度 | 10.1 mm |
| Qg - Gate Charge | 207 nC |
| 封装/外壳 | HSOF-8 |
| 下降时间 | 18 ns |
| 封装 | Reel |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | OptiMOS |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 175 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 125 S |
| Id - Continuous Drain Current | 300 A |
| 长度 | 10.58 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.7 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 84 ns |
| 通道模式 | Enhancement |
| 系列 | XPT020N10 |
| 身高 | 2.4 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 典型导通延迟时间 | 34 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 375 W |
| 上升时间 | 58 ns |
| 技术 | Si |
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