OSRAM Opto Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 产品种类 | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 最大功率耗散 | 220 mW |
| 最大暗电流 | 100 nA |
| 封装/外壳 | TO-18 |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 240 mV |
| 下降时间 | 15 us, 18 us |
| 最高工作温度 | + 125 C |
| 最低工作温度 | - 40 C |
| 封装 | Reel |
| 产品 | Phototransistors |
| 上升时间 | 15 us, 18 us |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 类型 | Chip |
| 波长 | 950 nm |
| 零件号别名 | Q62702P3582 |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最大通态集电极电流 | 50 mA |
| 检测频谱 | 红外、可见光 |
| 典型上升时间 | 18µs |
| 最大光电流 | 15000µA |
| 安装类型 | 通孔安装 |
| 频谱范围内的灵敏度 | 450 → 1100 nm |
| 高度 | 6.2mm |
| 最大暗电流 | 100nA |
| 检测到的最小波长 | 450nm |
| 宽度 | 5.6mm |
| 封装类型 | TO-18 |
| 针数目 | 3 |
| 典型下降时间 | 18µs |
| 半感光角度 | 30 ° |
| 长度 | 5.6mm |
| 通道数目 | 1 |
| 尺寸 | 5.6 x 5.6 x 6.2mm |
| 极性 | NPN |
| 检测到的最大波长 | 1100nm |
| 集电极电流 | 50mA |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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