OSRAM Opto Semiconductors
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Product Category | Phototransistors |
| RoHS | RoHS Compliant |
| Maximum Power Dissipation | 220 mW |
| Maximum Dark Current | 100 nA |
| Package / Case | TO-18 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 240 mV |
| Fall Time | 15 us, 18 us |
| Maximum Operating Temperature | + 125 C |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C |
| Packaging | Reel |
| Product | Phototransistors |
| Rise Time | 15 us, 18 us |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Type | Chip |
| Wavelength | 950 nm |
| Part # Aliases | Q62702P3582 |
| Maximum Collector Current | 50 mA |
| Maximum On-State Collector Current | 50 mA |
| 检测频谱 | 红外、可见光 |
| 典型上升时间 | 18µs |
| 最大光电流 | 15000µA |
| 安装类型 | 通孔安装 |
| 频谱范围内的灵敏度 | 450 → 1100 nm |
| 高度 | 6.2mm |
| 最大暗电流 | 100nA |
| 检测到的最小波长 | 450nm |
| 宽度 | 5.6mm |
| 封装类型 | TO-18 |
| 针数目 | 3 |
| 典型下降时间 | 18µs |
| 半感光角度 | 30 ° |
| 长度 | 5.6mm |
| 通道数目 | 1 |
| 尺寸 | 5.6 x 5.6 x 6.2mm |
| 极性 | NPN |
| 检测到的最大波长 | 1100nm |
| 集电极电流 | 50mA |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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