stmicroelectronics
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-39 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 1 A |
| 最小直流电流增益 | 90(Typ)@100uA@1V|100@100mA@1V|30(Typ)@1A@1V |
| 最大工作频率 | 50(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1@100mA@1A V |
| 最大集电极基极电压 | 100 V |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 最大功率耗散 | 650 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bag |
| 集电极最大直流电流 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| Maximum Transition Frequency | 50(Min) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 650 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | TO-39 |
| 标准包装名称 | TO-205-AF |
| 最高工作温度 | 175 |
| Package Height | 6.6(Max) |
| Package Diameter | 9.4(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 7 |
| 封装 | Bag |
| 铅形状 | Through Hole |
| 单位包 | 500 |
| 最小起订量 | 1500 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 50MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 100mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-39 |
| 功率 - 最大 | 650mW |
| 封装/外壳 | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :NPN |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| Transition Frequency ft | :50MHz |
| 功耗 | :3.7W |
| DC Collector Current | :1A |
| DC Current Gain hFE | :30 |
| Operating Temperature Max | :175°C |
| Transistor Case Style | :TO-39 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Weight (kg) | 0.00001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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