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所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4TO-206AF |
| 配置 | Single |
| 最大门源电压 | -35 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | TO-206AF |
| 最大门源电压 | -35 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-206AF |
| 渠道类型 | N |
| Maximum Power Dissipation | 300 |
| Maximum Drain Gate Voltage | -35 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 引脚数 | 4 |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 封装 | Bulk |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 35V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 5mA @ 15V |
| 供应商设备封装 | TO-206AF (TO-72) |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 2.5V @ 1nA |
| FET型 | N-Channel |
| 功率 - 最大 | 300mW |
| 封装/外壳 | TO-206AF, TO-72-4 Metal Can |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 4pF @ 15V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 漏源电压VDS | 10 V |
| 产品种类 | JFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大漏极栅极电压 | - 30 V |
| 源极击穿电压 | - 35 V |
| 正向跨导 - 闵 | 4.5 mS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| RDS（ON） | 150 Ohms |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 漏源电流在Vgs = 0 | 10 mA |
| 栅源截止电压 | - 3 V |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管类型 | :JFET |
| Breakdown Voltage Vbr | :-36V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | :5mA |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max | :15mA |
| Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max | :-6V |
| 功耗 | :300mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-206AF |
| No. of Pins | :4 |
| MSL | :- |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss | :5mA to 15mA |
| Weight (kg) | 0.000001 |
| Tariff No. | 85412100 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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