Vishay / Siliconix
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 供应商封装形式 | TO-236 |
| 最大门源电压 | 30 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 渠道类型 | P |
| 最大功率耗散 | 350 |
| Maximum Drain Gate Voltage | 30 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 配置 | Single |
| 引脚数 | 3 |
| 单位包 | 0 |
| 最小起订量 | 1 |
| 封装 | * |
| 电压 - 击穿（ V（BR ） GSS ） | 30V |
| 安装类型 | * |
| 电流 - 漏极（Idss ） @ VDS （ VGS = 0 ） | 20mA @ 15V |
| 电阻 - RDS（ON） | 85 Ohm |
| 供应商设备封装 | * |
| 电压 - 切断（VGS关）@ Id | 5V @ 10nA |
| FET型 | P-Channel |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 标准包装 | 1,000 |
| 封装/外壳 | * |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 20pF @ 0V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管类型 | :JFET |
| Breakdown Voltage Vbr | :30V |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min | :-20mA |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max | :-135mA |
| Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max | :10V |
| 功耗 | :350mW |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :TO-236 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Idss Max | :135mA |
| Current Idss Min | :20mA |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :SMD |
| 晶体管极性 | :P Channel |
| Zero Gate Voltage Drain Current Idss | :-20mA to -135mA |
| Weight (kg) | 0.0001 |
| Tariff No. | 85412100 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
