Central Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 集电极最大直流电流 | 0.8 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Transition Frequency | 300(Min) |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 800 |
| 类型 | NPN |
| 欧盟RoHS指令 | Not Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 75 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | TO-39 |
| 标准包装名称 | TO-205-AF |
| 最高工作温度 | 200 |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 35@100uA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@1... |
| Package Height | 6.6(Max) |
| Package Diameter | 9.4(Max) |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 |
| 封装 | Box |
| 铅形状 | Through Hole |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 最大功率耗散 | 0.8 W |
| 系列 | 2N2219 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 35 at 100 uA at 10 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.8 A |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 75 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | TO-39 |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.45 A |
| 宽度 | 9.4 mm |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| 长度 | 9.4 mm |
| 身高 | 6.6 mm |
| Pd - Power Dissipation | 0.8 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
