Central Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 工厂包装数量 | 500 |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 1.4 V |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 最大功率耗散 | 5 W |
| 系列 | 2N1479 |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 20 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 60 |
| 增益带宽产品fT | 1.5 MHz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Box |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装/外壳 | TO-39 |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 A |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | In Transition |
| 连续集电极电流 | 1.5 A |
| 品牌 | Central Semiconductor |
| Pd - Power Dissipation | 5 W |
| 配置 | Single |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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