fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 12 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 A |
| 最小直流电流增益 | 30@10mA@0.3V|20@50mA@1V |
| 最大工作频率 | 500(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@0.5mA@10mA|0.2@1mA@10mA|0.6@5mA@50mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 225 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4 |
| Maximum Transition Frequency | 500(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Maximum Collector Base Voltage | 12 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 12 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 200mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 500MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10nA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 12V |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 功率 - 最大 | 225mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 30 @ 10mA, 300mV |
| 其他名称 | MMBT3640TR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :PNP |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :12V |
| Transition Frequency ft | :500MHz |
| 功耗 | :225mW |
| DC Collector Current | :200mA |
| DC Current Gain hFE | :120 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Weight (kg) | 0 |
| Tariff No. | 85412100 |
| No. of Pins | :3 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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