fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SOT-23 |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.8 A |
| 最小直流电流增益 | 35@0.1mA@10V|50@1mA@10V|75@10mA@10V|100@150mA@10V|30@500mA@10V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.4@15mA@150mA|1.6@50mA@500mA V |
| 最大集电极基极电压 | 60 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 350 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 0.8 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | SOT-23 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | SOT-23 |
| 最大集电极发射极电压 | 40 |
| 铅形状 | Gull-wing |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 800mA |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.6V @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 40V |
| 供应商设备封装 | SOT-23 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | MMBT2907CT |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 0.8 A |
| 集电极 - 基极电压（最大值） | 60 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 40 V |
| 发射极 - 基极电压（最大值） | 5 V |
| 功率耗散 | 0.35 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOT-23 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益 | 100@150mA@10V |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 输出功率（最大） | Not Required W |
| 直流电流增益（最小值） | 100 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 集电极 - 基极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 集电极电流（DC ） | 0.8 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :40V |
| 功耗 | :350mW |
| DC Collector Current | :800mA |
| DC Current Gain hFE | :300 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :SOT-23 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :- |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Collector Emitter Voltage Vces | :400mV |
| Current Ic Continuous a Max | :500mA |
| Current Ic hFE | :300mA |
| Hfe Min | :30 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :350mW |
| 端接类型 | :SMD |
| Weight (kg) | 2.27 |
| Tariff No. | 85412100 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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