fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-126 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 160@1A@2V |
| 最大工作频率 | 90(Typ) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@0.2A@2A V |
| 最大集电极基极电压 | 40 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1000 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-225-AA |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 90(Typ) |
| 封装 | Bulk |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | TO-126 |
| 最大集电极发射极电压 | 30 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 90MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 200mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1µA (ICBO) |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V |
| 供应商设备封装 | TO-126 |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 160 @ 1A, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 零件号别名 | KSD882YS_NL |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 60 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 单位重量 | 0.026843 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 30 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.3 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 3 A |
| 增益带宽产品fT | 90 MHz |
| 系列 | KSD882 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 40 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 宽度 | 3.25 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 8 mm |
| 身高 | 11 mm |
| Pd - Power Dissipation | 10 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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