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厂商型号:

+FSB660A

芯天下内部编号:
3-FSB660A
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3SuperSOT
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 60 V
集电极最大直流电流 2 A
最小直流电流增益 70@100mA@2V|250@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V
最大工作频率 75(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.3@100mA@1A|0.3@200mA@2A V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 500 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
最低工作温度 -55
最大功率耗散 500
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 75(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 60
供应商封装形式 SuperSOT
最大集电极发射极电压 60
电流 - 集电极( Ic)(最大) 2A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 75MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 300mV @ 200mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 60V
供应商设备封装 3-SSOT
功率 - 最大 500mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 250 @ 500mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FSB660ACT
工厂包装数量 3000
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
零件号别名 FSB660A_NL
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 250
直流电流增益hFE最大值 550
单位重量 0.001058 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 60 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 300 mV
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 2 A
增益带宽产品fT 75 MHz
系列 FSB660A
集电极 - 基极电压VCBO 60 V
最低工作温度 - 55 C
集电极电流( DC)(最大值) 2 A
集电极 - 基极电压 60 V
集电极 - 发射极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率(最大) 75 MHz
功率耗散 0.5 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SuperSOT
元件数 1
直流电流增益(最小值) 70
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 75 MHz
集电极电流(DC ) 2 A
直流电流增益 70
最大直流集电极电流 2 A
高度 0.94mm
最大基极-发射极饱和电压 -1.25 V
长度 2.92mm
最大发射极-基极电压 -5 V
安装类型 表面贴装
每片芯片元件数目 1
最大集电极-发射极电压 60 V
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 PNP
最大集电极-发射极饱和电压 -300 mV
最低工作温度 -55 °C
最大功率耗散 500 mW
宽度 1.4mm
尺寸 2.92 x 1.4 x 0.94mm
最小直流电流增益 40
最大集电极-基极电压 -60 V
封装类型 SOT-23
引脚数目 3
晶体管配置
最大工作频率 75 MHz
宽度 1.4 mm
品牌 Fairchild Semiconductor
长度 2.92 mm
身高 0.94 mm
Pd - Power Dissipation 0.5 W

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