所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SuperSOT |
| 类型 | PNP |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 70@100mA@2V|250@500mA@2V|80@1A@2V|40@2A@2V |
| 最大工作频率 | 75(Min) MHz |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@100mA@1A|0.3@200mA@2A V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 2 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 500 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 75(Min) |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 60 |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| 电流 - 集电极( Ic)(最大) | 2A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 75MHz |
| 下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 300mV @ 200mA, 2A |
| 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 250 @ 500mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FSB660ACT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 零件号别名 | FSB660A_NL |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 250 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 550 |
| 单位重量 | 0.001058 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 300 mV |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 2 A |
| 增益带宽产品fT | 75 MHz |
| 系列 | FSB660A |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 60 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极电流( DC)(最大值) | 2 A |
| 集电极 - 基极电压 | 60 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 60 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 频率(最大) | 75 MHz |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SuperSOT |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益(最小值) | 70 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 频率 | 75 MHz |
| 集电极电流(DC ) | 2 A |
| 直流电流增益 | 70 |
| 最大直流集电极电流 | 2 A |
| 高度 | 0.94mm |
| 最大基极-发射极饱和电压 | -1.25 V |
| 长度 | 2.92mm |
| 最大发射极-基极电压 | -5 V |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最大集电极-发射极电压 | 60 V |
| Board Level Components | Y |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大集电极-发射极饱和电压 | -300 mV |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 宽度 | 1.4mm |
| 尺寸 | 2.92 x 1.4 x 0.94mm |
| 最小直流电流增益 | 40 |
| 最大集电极-基极电压 | -60 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大工作频率 | 75 MHz |
| 宽度 | 1.4 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 长度 | 2.92 mm |
| 身高 | 0.94 mm |
| Pd - Power Dissipation | 0.5 W |
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