fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3SuperSOT |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 25 V |
| 集电极最大直流电流 | 3 A |
| 最小直流电流增益 | 70@50mA@2V|100@1A@2V|75@2A@2V|15@6A@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.3@100mA@1A|0.6@300mA@3A V |
| 最大集电极基极电压 | 35 V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 集电极最大直流电流 | 3 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 500 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 |
| 封装 | Tape and Reel |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 35 |
| 供应商封装形式 | SuperSOT |
| 最大集电极发射极电压 | 25 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 3A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 150MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 600mV @ 300mA, 3A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 100nA (ICBO) |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 供应商设备封装 | 3-SSOT |
| 功率 - 最大 | 500mW |
| 封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 1A, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | FSB649CT |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 单位重量 | 0.001058 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 25 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | In Transition |
| 连续集电极电流 | 3 A |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 600 mV |
| 系列 | FSB649 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 35 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 身高 | 1.5 mm |
| 长度 | 2.92 mm |
| Pd - Power Dissipation | 0.5 W |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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