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Fairchild Semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| Maximum DC Collector Current | 0.05 |
| 最小直流电流增益 | 38@7mA@10V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 最大功率耗散 | 350 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 4 |
| Maximum Transition Frequency | 1100 |
| 封装 | Bulk |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 40 |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 最大集电极发射极电压 | 25 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 50mA |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 1.1GHz |
| 标准包装 | 2,000 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 25V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 功率 - 最大 | 350mW |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 38 @ 7mA, 10V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | :N Channel |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :25V |
| Transition Frequency ft | :1.1GHz |
| 功耗 | :350mW |
| DC Collector Current | :50mA |
| DC Current Gain hFE | :38 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| RF Transistor Case | :TO-92 |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Continuous Collector Current Ic | :10mA |
| Gain Bandwidth ft Typ | :1.1GHz |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 端接类型 | :Through Hole |
| Transistor Case Style | :TO-92 |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
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