fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-220AB |
| 配置 | Single |
| 类型 | PNP |
| 最大集电极发射极电压 | 100 V |
| 峰值直流集电极电流 | 12 A |
| 最小直流电流增益 | 1000@3A@3V|750@5A@3V|100@10A@3V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@20mA@5A|3@100mA@10A V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| Maximum Base Emitter Saturation Voltage | 2.5@20mA@5A|4@100mA@10A |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 封装 | Bulk |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 12 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 2@20mA@5A|3@100mA@10A |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 100 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 最低工作温度 | -65 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 80000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 12A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 3V @ 100mA, 10A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 1mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 功率 - 最大 | 80W |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 750 @ 5A, 3V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 200 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | PNP |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 系列 | BDW94C |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
| 集电极最大直流电流 | 12 A |
| 最大集电极截止电流 | 100 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 单位重量 | 0.063493 oz |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 100 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 零件号别名 | BDW94C_NL |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 12 A |
| 集电极 - 基极电压 | 100 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 100 V |
| 工作温度范围 | -65C to 150C |
| 包装类型 | TO-220AB |
| 极性 | PNP |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 2 V |
| 直流电流增益 | 1000 |
| 基射极饱和电压（最大值） | 2.5 V |
| 集电极电流（DC ） | 12 A |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 3V @ 100mA, 10A |
| 晶体管类型 | PNP - Darlington |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 1mA |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 750 @ 5A, 3V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 功率 - 最大值 | 80W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 12A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 100V |
| 身高 | 9.4 mm |
| 宽度 | 4.7 mm |
| 长度 | 10.1 mm |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
|
咨询QQ
热线电话
