fairchild semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-126 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 最大集电极发射极电压 | 45 V |
| 集电极最大直流电流 | 1.5 A |
| 最小直流电流增益 | 25@5mA@2V|25@0.5A@2V|100@150mA@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 0.5@50mA@500mA V |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 最大功率耗散 | 1250 mW |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 1.5A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 50mA, 500mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 45V |
| 供应商设备封装 | TO-126 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 1.25W |
| 封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 100 @ 150mA, 2V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 250 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 40 |
| 直流电流增益hFE最大值 | 250 |
| 单位重量 | 0.026843 oz |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 1.5 A |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | 0.5 V |
| 系列 | BD135 |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 45 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 集电极电流（ DC）（最大值） | 1.5 A |
| 集电极 - 基极电压 | 45 V |
| 集电极 - 发射极电压 | 45 V |
| 发射极 - 基极电压 | 5 V |
| 功率耗散 | 1.25 W |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-126 |
| 元件数 | 1 |
| 直流电流增益（最小值） | 25 |
| 工作温度分类 | Military |
| 弧度硬化 | No |
| 直流电流增益 | 25 |
| 集电极电流（DC ） | 1.5 A |
| 长度 | 8 mm |
| 身高 | 1.5 mm |
| Pd - Power Dissipation | 12.5 W |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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