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厂商型号:

2N3906TAR

芯天下内部编号:
3-2N3906TAR
生产厂商:

fairchild semiconductor

microsemi
描述:
T
客户编号:
规格书:

所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。

产品参数

Type Description
包装 3TO-92
类型 PNP
引脚数 3
最大集电极发射极电压 40 V
集电极最大直流电流 0.2 A
最小直流电流增益 60@0.1mA@1V|80@1mA@1V|100@10mA@1V|60@50mA@1V|30@100mA@1V
最大工作频率 250(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.25@1mA@10mA|0.4@5mA@50mA V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 625 mW
安装 Through Hole
标准包装 Ammo Pack
集电极最大直流电流 0.2
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
最大功率耗散 625
Maximum Emitter Base Voltage 5
Maximum Transition Frequency 250(Min)
封装 Ammo
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 40
供应商封装形式 TO-92
最大集电极发射极电压 40
铅形状 Formed
电流 - 集电极( Ic)(最大) 200mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 250MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 40V
供应商设备封装 TO-92-3
功率 - 最大 625mW
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 10mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 2N3906TARFSCT
工厂包装数量 2000
增益带宽产品fT 250 MHz
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 PNP
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
系列 2N3906
直流集电极/增益hfe最小值 100
直流电流增益hFE最大值 300
集电极 - 发射极最大电压VCEO 40 V
单位重量 0.006279 oz
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 40 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
集电极电流( DC)(最大值) 0.2 A
集电极 - 基极电压 40 V
集电极 - 发射极电压 40 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率 250 MHz
功率耗散 0.625 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 TO-92
元件数 1
直流电流增益 100
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
集电极电流(DC ) 0.2 A
最大直流集电极电流 0.2 A
高度 5.33mm
最大基极-发射极饱和电压 -0.85 V
长度 5.2mm
最大发射极-基极电压 -5 V
安装类型 通孔
每片芯片元件数目 1
最大集电极-发射极电压 40 V
Board Level Components Y
最高工作温度 +150 °C
晶体管类型 PNP
最大集电极-发射极饱和电压 -0.25 V
最低工作温度 -50 °C
最大功率耗散 625 mW
宽度 4.19mm
尺寸 5.2 x 4.19 x 5.33mm
最小直流电流增益 60
最大集电极-基极电压 -40 V
封装类型 TO-92
引脚数目 3
晶体管配置
最大工作频率 250 MHz
品牌 Fairchild Semiconductor
身高 4.7 mm
长度 4.7 mm
Pd - Power Dissipation 625 mW

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