rohm semiconductor
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 4MPT |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 110 V |
| 峰值直流集电极电流 | 2 A |
| 最小直流电流增益 | 1000@1A@2V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.5@1mA@1A V |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 单位包 | 1000 |
| 最小起订量 | 1000 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 2A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 频率 - 转换 | 80MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 10µA (ICBO) |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 90V |
| 供应商设备封装 | MPT3 |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 1000 @ 1A, 2V |
| 其他名称 | 2SD2170T100TR |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 增益带宽产品fT | 80 MHz |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 6 V |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 1000 |
| 集电极最大直流电流 | 2 A |
| 最大集电极截止电流 | 10 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 110 V |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 功率耗散 | 0.5 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 110 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 2 A |
| 频率 - 跃迁 | 80MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1.5V @ 1mA, 1A |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 10µA (ICBO) |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 1A, 2V |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 功率 - 最大值 | 2W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 90V |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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