所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 8SOIC |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 最大连续漏极电流 | 7 A |
| RDS -于 | 30@4.5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±12 V |
| 典型导通延迟时间 | 7.6 ns |
| 典型上升时间 | 22 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 110 ns |
| 典型下降时间 | 50 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 漏源击穿电压 | 20 V |
| 源极击穿电压 | 12 V |
| 连续漏极电流 | 7 A |
| 抗漏源极RDS ( ON) | 30 mOhms |
| 配置 | Dual |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装/外壳 | SOIC-8 |
| 封装 | Reel |
| 栅极电荷Qg | 13 nC |
| 功率耗散 | 2 W |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 寿命 | New At Mouser |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7A |
| 的Vgs(th ) (最大)@ Id | 1.2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 供应商设备封装 | 8-SO |
| 开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 30 mOhm @ 7A, 4.5V |
| FET型 | 2 N-Channel (Dual) |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 输入电容(Ciss ) @ VDS | 1340pF @ 16V |
| 闸电荷(Qg ) @ VGS | 20nC @ 4.5V |
| 封装/外壳 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | IRF7331PBFDKR |
| RDS(ON) | 30 mOhms |
| 栅源电压(最大值) | �12 V |
| 漏源导通电阻 | 0.03 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | SOIC |
| 引脚数 | 8 |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 2 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 20 V |
| 弧度硬化 | No |
| Current,Drain | 7A |
| GateCharge,Total | 13nC |
| PackageType | SO-8 |
| 极化方式 | N-Channel |
| PowerDissipation | 2W |
| Resistance,DraintoSourceOn | 0.03Ohms |
| Temperature,Operating | -55to150°C |
| ThermalResistance,JunctiontoAmbient | 62.5°C/W |
| Time,Turn-OffDelay | 110ns |
| Time,Turn-OnDelay | 7.6ns |
| Transconductance,Forward | 14S |
| Voltage,Breakdown,DraintoSource | 20V |
| Voltage,Forward,Diode | 1.2V |
| Voltage,GatetoSource | ±12V |
| 案例 | SO8 |
| Transistor type | N-MOSFET x2 |
| 功率 | 2W |
| Drain-source voltage | 20V |
| 极化 | unipolar |
| Drain current | 7A |
| Multiplicity | 4000 |
| Gross weight | 0.43 g |
| Package type | roll |
| Collective package [pcs] | 4000 |
| spg | 4000 |
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