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diodes, inc
所示图像仅为示意图。请从产品数据表中获得准确的规格。
| Type | Description |
|---|---|
| 包装 | 3TO-92 |
| 配置 | Single |
| 类型 | NPN |
| 最大集电极发射极电压 | 60 V |
| 峰值直流集电极电流 | 0.8 A |
| 最小直流电流增益 | 5000@100mA@5V|10000@500mA@5V |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.25@8mA@800mA V |
| 最大集电极基极电压 | 80 V |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Bulk |
| 供应商封装形式 | TO-92 |
| 标准包装名称 | TO-92 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 最大集电极基极电压 | 80 |
| Package Height | 4.83(Max) |
| 最大集电极发射极电压 | 60 |
| Maximum Emitter Base Voltage | 10 |
| Maximum Continuous DC Collector Current | 0.8 |
| 最大集电极发射极饱和电压 | 1.25@8mA@800mA |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| Package Width | 3.66(Max) |
| PCB | 3 |
| Package Length | 4.78(Max) |
| 最低工作温度 | -55 |
| 铅形状 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| P（ TOT ） | 1W |
| 匹配代码 | BCX38C |
| I（C ） | 0.8A |
| V（ CEO ） | 80V |
| 单位包 | 4000 |
| 标准的提前期 | 17 weeks |
| 最小起订量 | 4000 |
| 极化 | NPN |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| 汽车 | NO |
| 电流增益 | 5000 |
| V（ CBO ） | 60V |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 800mA |
| 晶体管类型 | NPN - Darlington |
| 安装类型 | Through Hole |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1.25V @ 8mA, 800mA |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 60V |
| 供应商设备封装 | TO-92-3 |
| 封装 | Bulk |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 10000 @ 500mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 产品种类 | Transistors Darlington |
| 晶体管极性 | NPN |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 10 V |
| 集电极最大直流电流 | 0.8 A |
| 最大集电极截止电流 | 0.1 uA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 功率耗散 | 1 W |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 80 V |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 0.8 A |
| Collector Emitter Voltage V(br)ceo | :60V |
| 功耗 | :1W |
| DC Collector Current | :800mA |
| DC Current Gain hFE | :10000 |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :200°C |
| Transistor Case Style | :E-Line |
| No. of Pins | :3 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| SVHC | :No SVHC (20-Jun-2013) |
| Av Current Ic | :800mA |
| Collector Emitter Voltage Vces | :1.25V |
| 连续集电极电流Ic最大 | :800mA |
| Current Ic Continuous a Max | :800mA |
| Current Ic hFE | :500mA |
| Device Marking | :BCX38C |
| Full Power Rating Temperature | :25°C |
| Hfe Min | :10000 |
| No. of Transistors | :1 |
| 工作温度范围 | :-55°C to +200°C |
| Power Dissipation Ptot Max | :1W |
| Voltage Vcbo | :80V |
| Weight (kg) | 0.000001 |
| Tariff No. | 85412900 |
| RESOURCE TYPE | LINK |
|---|---|
| Datasheets |
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